对比图
描述 NPN型高压晶体管 NPN high-voltage transistorSOT-89 NPN 300V 0.2A一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 SOT-89 SOT-89-3 TO-226-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) - - 300 V
额定电流 - - 500 mA
极性 NPN NPN N-Channel
耗散功率 1.3 W 1.3 W 1.00 W
击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V
集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V
额定功率(Max) - 1.3 W 1 W
频率 50 MHz 50 MHz -
最大电流放大倍数(hFE) - 25 @1mA, 10V -
直流电流增益(hFE) - 25 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
耗散功率(Max) - 1300 mW -
封装 SOT-89 SOT-89-3 TO-226-3
宽度 - 2.6 mm -
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -