对比图
型号 BSM200GD60DLC MG200J6ES60 MWI150-06A8
描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 226A 21Pin EconoPACK 3AGTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications分立半导体模块 150 Amps 600V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw - Screw
引脚数 - - 19
封装 EconoPACK 3A - E3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 170 A
耗散功率 700 W - 515000 mW
上升时间 - - 30.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V
输入电容(Cies) - - 6.5nF @25V
额定功率(Max) - - 515 W
工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃
耗散功率(Max) - - 515000 mW
封装 EconoPACK 3A - E3
长度 122 mm - -
宽度 62 mm - -
高度 17 mm - -
工作温度 - - -40℃ ~ 125℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 - - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free