ULN2001D1013TR和ULN2003ADR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2001D1013TR ULN2003ADR2G ULN2003AD

描述 STMICROELECTRONICS  ULN2001D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOICON SEMICONDUCTOR  ULN2003ADR2G.  达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOICTEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AD  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

输出接口数 7 7 7

输出电流 - 500 mA 500 mA

针脚数 16 16 16

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - - 25 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 - - 7

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

输出电流(Max) 500 mA 500 mA 500 mA

直流电流增益(hFE) 1000 1000 600

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ -20 ℃ -20 ℃

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 - 50 V -

通道数 - 7 -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 1000 @350mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 1000 -

输入电压 - 30 V -

长度 10 mm - 9.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.65 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -20℃ ~ 85℃ (TA) -20℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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