JAN1N4118-1和JANS1N4118-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4118-1 JANS1N4118-1 1N4118TRLEADFREE

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESZener Diode, 27V V(Z), 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

耗散功率 480 mW 0.5 W -

测试电流 0.25 mA 0.25 mA -

稳压值 27 V 27 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

封装 DO-35 DO-35 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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