BUK9E06-55B,127和BUK9E4R4-40B,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9E06-55B,127 BUK9E4R4-40B,127 IRF1405ZLPBF

描述 I2PAK N-CH 55V 146AI2PAK N-CH 40V 174AN沟道 55V 75A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 258W (Tc) 254 W 230 W

漏源极电压(Vds) 55 V 40 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 146A 174A 150A

输入电容(Ciss) 7565pF @25V(Vds) 7124pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 258 W 254 W -

耗散功率(Max) 258W (Tc) 254W (Tc) 230W (Tc)

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

长度 - - 10.2 mm

宽度 - - 4.5 mm

高度 - - 9.45 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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