对比图
型号 BUK9E06-55B,127 BUK9E4R4-40B,127 IRF1405ZLPBF
描述 I2PAK N-CH 55V 146AI2PAK N-CH 40V 174AN沟道 55V 75A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 258W (Tc) 254 W 230 W
漏源极电压(Vds) 55 V 40 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 146A 174A 150A
输入电容(Ciss) 7565pF @25V(Vds) 7124pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 258 W 254 W -
耗散功率(Max) 258W (Tc) 254W (Tc) 230W (Tc)
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
长度 - - 10.2 mm
宽度 - - 4.5 mm
高度 - - 9.45 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅