对比图
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
数据手册 --
制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SC-70-3 SOT-323-3
额定电压(DC) - -30.0 V
额定电流 - -500 mA
极性 PNP PNP
耗散功率 100 mW 150 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 70 @100mA, 1V 70 @100mA, 1V
最大电流放大倍数(hFE) 400 240
额定功率(Max) 100 mW 150 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 100 mW -
长度 - 2 mm
宽度 - 1.25 mm
高度 - 0.9 mm
封装 SC-70-3 SOT-323-3
工作温度 125℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
ECCN代码 - EAR99