对比图
型号 AGR21045EF BLS6G2731-120 BLS6G2731-120,112
描述 TRANS MOSFET N-CH 65VLDMOS S波段雷达功率晶体管 LDMOS S-band radar power transistorLdmos s波段雷达功率晶体管
数据手册 ---
制造商 Broadcom (博通) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 2 2
封装 - SOT502B SOT-502
漏源极电阻 - 135 mΩ 135 mΩ
耗散功率 - - 120 W
漏源极电压(Vds) - - 32 V
漏源击穿电压 - 60 V 60 V
上升时间 - 20 ns 20 ns
下降时间 - 6 ns 6 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ 65 ℃
长度 - 20.02 mm 20.02 mm
宽度 - 9.91 mm 9.91 mm
高度 - 4.72 mm 4.72 mm
封装 - SOT502B SOT-502
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17