对比图
描述 MOS(场效应管)/FQD20N06FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD20N06TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK TO-252-3
引脚数 - 3
极性 N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 16.8A 16.8 A
额定电压(DC) - 60.0 V
额定电流 - 16.8 A
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.05 Ω
耗散功率 - 38 W
阈值电压 - 4 V
漏源击穿电压 - 60.0 V
栅源击穿电压 - ±25.0 V
上升时间 - 45 ns
输入电容(Ciss) - 590pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 - 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 38W (Tc)
封装 DPAK TO-252-3
长度 - 6.6 mm
宽度 - 6.1 mm
高度 - 2.3 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99