对比图
型号 PSMN030-150P,127 SPP07N60S5 FDP2532
描述 TO-220AB N-CH 150V 55.5AINFINEON SPP07N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP2532 晶体管, MOSFET, N沟道, 79 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 650 V 150 V
额定电流 - 7.30 A 79.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.54 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 83 W 310 W
阈值电压 - 4.5 V 4 V
漏源极电压(Vds) 150 V 650 V 150 V
漏源击穿电压 - 600 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 55.5 A 7.30 A 79.0 A
上升时间 - 40 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 3680pF @25V(Vds) 970pF @25V(Vds) 5870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 250 W 83 W 310 W
下降时间 - 20 ns 17 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250W (Tc) 83W (Tc) 310000 mW
额定功率 - - 310 W
输入电容 - - 5.87 nF
栅电荷 - - 82.0 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 - 10 mm 10.67 mm
宽度 - 4.4 mm 4.83 mm
高度 - 15.65 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99