GS8182T08BGD-250和UPD44164082AF5-E40-EQ2-A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8182T08BGD-250 UPD44164082AF5-E40-EQ2-A GS8182T08BGD-250T

描述 DDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-1652MX8 DDR SRAM, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165DDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

数据手册 ---

制造商 GSI Renesas Electronics (瑞萨电子) GSI

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 LBGA LBGA LBGA

封装 LBGA LBGA LBGA

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -

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