对比图
型号 IXSH40N60B IXXH50N60B3 HGTG30N60A4
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 280000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADInsulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3PinFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4 单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 75.0 A
额定功率 - - 463 W
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
耗散功率 280000 mW - 463 W
上升时间 - - 12.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 280 W 600 W 463 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 280000 mW 600000 mW 463000 mW
长度 - - 15.87 mm
宽度 - - 4.82 mm
高度 21.46 mm - 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99