BUK9535-55和BUK9506-55A,127

对比图

型号 BUK9535-55 BUK9506-55A,127 IRF640B

描述 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FETMOSFET N-CH 55V 75A SOT78200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 34A - 18A

耗散功率 - 300 W -

上升时间 - 180 ns -

输入电容(Ciss) - 8600pF @25V(Vds) -

下降时间 - 235 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -