2SC2240和KSC2001

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC2240 KSC2001 2SC3467E

描述 TO-92 NPN 120V 0.1ANPN SILICON TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE APPLICATIONS HIGH TOTAL POWER DISIPATION) PT = 600mWTrans GP BJT NPN 200V 0.1A 3Pin Case MP

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Samsung (三星) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 TO-92 TO-92 TO-92

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-92 TO-92 TO-92

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

极性 NPN - -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V - -

集电极最大允许电流 0.1A - -

工作温度(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

材质 - - Silicon

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