70V657S12BFI和70V657S12DRI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V657S12BFI 70V657S12DRI 70V657S12BFGI

描述 静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAMSRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208Pin PQFP TrayDual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 208 208 208

封装 CABGA-208 BFQFP-208 CABGA-208

存取时间 12 ns 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) - - 3.45 V

电源电压(Min) - - 3.15 V

长度 15 mm 28.0 mm 15 mm

宽度 15 mm 28.0 mm 15 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 CABGA-208 BFQFP-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm 3.50 mm 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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