1N5926B和BZX85C13-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5926B BZX85C13-TR BZX85C11

描述 SILICON ZENER DIODESDiode Zener Single 13V 6% 1.3W 2Pin DO-41 T/RSILICON ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 EIC Vishay Semiconductor (威世) EIC

分类 齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 2 - 2

封装 DO-41 DO-41 DO-204AL

安装方式 - Through Hole -

测试电流 34.1 mA 20 mA 20 mA

稳压值 11 V 13 V 11 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -65 ℃

容差 - ±5 % -

耗散功率 - 1.3 W -

额定功率(Max) - 1.3 W -

耗散功率(Max) - 1300 mW -

封装 DO-41 DO-41 DO-204AL

长度 - 4.1 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 2.6 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

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