对比图
型号 MMSF4N01HDR2 NTMS4N01R2G NTMS4N01R2
描述 Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8Pin SOIC T/R4.2A,20V,N沟道MOSFET功率MOSFET 4.2安培， 20伏特N沟道增强模式单一SO- 8封装 Power MOSFET 4.2 Amps, 20 Volts N−Channel Enhancement−Mode Single SO−8 Package
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SOT SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - 20.0 V 20.0 V
额定电流 - 4.20 A 4.20 A
漏源极电阻 - 45.0 mΩ 45.0 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 770mW (Ta) 2.5 W
漏源极电压(Vds) - 20 V 20.0 V
漏源击穿电压 - 20.0 V 20.0 V
栅源击穿电压 - ±10.0 V ±10.0 V
连续漏极电流(Ids) - 4.20 A 4.20 A
上升时间 - 35.0 ns 35 ns
下降时间 - - 50 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
输入电容(Ciss) - 1200pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) - 770 mW -
耗散功率(Max) - 770mW (Ta) -
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
封装 SOT SOIC-8 SOIC-8
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 - Tape Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -