TPS51116RGE和TPS51116RGERG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS51116RGE TPS51116RGERG4 TPS51116RGETG4

描述 完整的DDR , DDR2和DDR3内存的电源解决方案同步降压控制器, 3 -A LDO ,缓冲基准 COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO 24-VQFN -40 to 85完整的DDR , DDR2和DDR3内存的电源解决方案同步降压控制器, 3 -A LDO ,缓冲基准 COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 稳压芯片稳压芯片DC/DC转换器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 24 24 24

封装 VQFN-24 VQFN-24 VQFN-24

输出接口数 1 1 1

输出电压 1.5V ~ 3V 1.5V ~ 3V 1.5V ~ 3V

输出电流 10 A 10 A 10 A

耗散功率 - 2200 mW 2200 mW

静态电流 - 800 µA 800 µA

调节输出数 - 1 1

过温保护 - Yes Yes

拓扑结构 - Buck Buck

输入电压(Max) - 28 V 28 V

输入电压(Min) - 3 V 3 V

输出电流(Max) - 10 A 10 A

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 2200 mW 2200 mW

输入电压 3V ~ 28V 3V ~ 28V 3V ~ 28V

输出电压(Max) - - 3 V

输出电压(Min) - - 1.5 V

封装 VQFN-24 VQFN-24 VQFN-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

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