IRF7469和IRF7470TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7469 IRF7470TRPBF IRF7469PBF

描述 SOIC N-CH 40V 9AINFINEON  IRF7470TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V 新INFINEON  IRF7469PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 17 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 9.00 A 11.0 A -

额定功率 - 2.5 W 2.5 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.013 Ω 0.017 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7469 IRF7470 -

阈值电压 - 800 mV 3 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 11.0 A 9A

上升时间 2.20 ns 1.9 ns 2.2 ns

输入电容(Ciss) 2000pF @20V(Vds) 3430pF @20V(Vds) 2000pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 3.2 ns 3.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

漏源击穿电压 40.0 V - -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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