MMBTA42和MMBTA42-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA42 MMBTA42-7-F MMBTA06LT1G

描述 STMICROELECTRONICS  MMBTA42  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE三极管(晶体管) MMBTA42-7-F SOT-23NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 50 MHz 50 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 300 V 300 V 80.0 V

额定电流 500 mA 200 mA 500 mA

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 0.3 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 40 - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

额定功率 - - 225 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

集电极最大允许电流 - - 0.5A

长度 3.04 mm - 2.9 mm

宽度 1.6 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 1.3 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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