HM1-65162B-9和IDT6116LA90DB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HM1-65162B-9 IDT6116LA90DB JM38510/29104BJA

描述 2K ×8的异步CMOS静态RAM 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAMCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24,

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Integrated Device Technology (艾迪悌) Harris

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP -

封装 DIP DIP -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - 3A001 -

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