IXDD430MCI和IXDI430CI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDD430MCI IXDI430CI IXDD430CI

描述 IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5

上升/下降时间 18ns, 16ns 18ns, 16ns 18ns, 16ns

电源电压 8.5V ~ 35V 8.5V ~ 35V 8.5V ~ 35V

输出接口数 1 - -

输出电流 30 A - -

耗散功率 2000 mW - -

上升时间 20 ns - -

下降时间 18 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

电源电压(Min) 8.5 V - -

封装 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Box Box Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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