FQAF46N15和TC62

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQAF46N15 TC62

描述 150V N - 沟道MOSFET 150V N - CHANNEL MOSFETPower Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor

分类

基础参数对比

封装 TO-3 -

极性 N-CH -

漏源极电压(Vds) 150 V -

连续漏极电流(Ids) 33.5A -

封装 TO-3 -

产品生命周期 Unknown Active

RoHS标准 - RoHS Compliant

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