BSS126H6327XTSA2和BSS126H6906XTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS126H6327XTSA2 BSS126H6906XTSA1 BSS127H6327XTSA2

描述 INFINEON  BSS126H6327XTSA2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 VINFINEON  BSS126H6906XTSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  BSS127H6327XTSA2  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 0.5 W - 0.5 W

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 280 Ω 280 Ω 310 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

阈值电压 2 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - -

连续漏极电流(Ids) 0.021A 0.021A 0.021A

上升时间 9.7 ns 9.7 ns 9.7 ns

正向电压(Max) 1.2 V - -

输入电容(Ciss) 28pF @25V(Vds) 21pF @25V(Vds) 28pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

下降时间 115 ns 115 ns 115 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500mW (Ta)

输入电容 - - 21 pF

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1.1 mm 1.1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

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