PZT751T1G和PZTA92,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PZT751T1G PZTA92,115 NZT751

描述 ON SEMICONDUCTOR  PZT751T1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 75 MHz, 800 mW, -2 A, 40 hFENexperia PZTA92,115 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=300 V, HFE:25, 50 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 75 MHz 50 MHz 75 MHz

针脚数 4 3 3

耗散功率 800 mW 1.2 W 1.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 300 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 75 @1A, 2V 25 @30mA, 10V 40 @2A, 2V

额定功率(Max) 800 mW 1.2 W 1.2 W

直流电流增益(hFE) 75 40 75

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 1200 mW 1.2 W

额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V

额定电流 2.00 A - -4.00 A

极性 PNP, P-Channel - PNP, P-Channel

增益频宽积 75 MHz - -

集电极最大允许电流 - - 4A

长度 6.5 mm 6.7 mm 6.7 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm 3.7 mm

高度 1.57 mm 1.7 mm 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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