1N4120和JANTXV1N4120D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4120 JANTXV1N4120D-1

描述 SILICON ZENER DIODE LOW NOISE 6.8V THRU 100V 0.25W(1/4W), 5% TOLERANCEDiode Zener 30V 0.5W(1/2W) Do35

数据手册 --

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 DO-35-2 DO-204AH

引脚数 - -

容差 - ±1 %

正向电压 - 1.1V @200mA

稳压值 30 V 30 V

额定功率(Max) - 500 mW

测试电流 0.25 mA -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -

耗散功率 250 mW -

封装 DO-35-2 DO-204AH

长度 5.08 mm -

宽度 2.29 mm -

高度 2.29 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -

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