199D226X9016D7V1E3和199D226X9025D7V1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D226X9016D7V1E3 199D226X9025D7V1E3 199D226X0016D7V1E3

描述 Cap Tant Solid 22uF 16V 10% (6 X 12.66mm) Radial 6.35mm 125℃ BulkCap Tant Solid 22uF 25V 10% (6 X 12.66mm) Radial 6.35mm 125℃ BulkCap Tant Solid 22uF 16V 20% (6 X 12.66mm) Radial 6.35mm 125℃ Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容钽电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 - - Radial

电容 22 µF 22 µF 22 µF

容差 ±10 % ±10 % ±20 %

额定电压 16 V 25 V 16 V

封装 - - Radial

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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