BFR520T和BFT25A,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR520T BFT25A,215 BFT92,215

描述 NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistorNXP  BFT25A,215.  射频宽带晶体管, NPN, 5V, 5GHZ, 3-SOT-23NXP  BFT92,215  射频宽带晶体管, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-23, 整卷

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-416 SOT-23-3 SOT-23-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-416 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1 mm 1 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

频率 - 5000 MHz 5000 MHz

针脚数 - 3 3

极性 - NPN PNP, P-Channel

耗散功率 - 32 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 5 V 15 V

增益 - 15 dB 18 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @500µA, 1V 20 @14mA, 10V

额定功率(Max) - 32 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 80 50

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 32 mW 300 mW

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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