对比图
型号 IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRPBF IRFR120NTRL
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3Pin (2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 9.40 A
极性 N-Channel N-CH N-Channel
产品系列 - - IRFR120N
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 9.4A 9.4A 9.40 A
上升时间 23 ns 23 ns 23.0 ns
额定功率 39 W 39 W -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.21 Ω 0.21 Ω -
耗散功率 48 W 48 W -
阈值电压 4 V 4 V -
漏源击穿电压 - 100 V -
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 48 W -
下降时间 23 ns 23 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 48 W 48W (Tc) -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
长度 6.73 mm 6.5 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.39 mm 2.3 mm -
产品生命周期 Active Active End of Life
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -