WEDPN16M64V-100B2I和WEDPN16M64V-133B2I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 WEDPN16M64V-100B2I WEDPN16M64V-133B2I

描述 DRAM Module SDRAM 1GbitWEDPN16M64V-133B2I

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 219 219

封装 PBGA PBGA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

存取时间(Max) 7 ns -

封装 PBGA PBGA

高度 - -

产品生命周期 Unknown Unknown

RoHS标准 Non-Compliant -

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