对比图
型号 IRF7821 IRF7821TRPBF SI4890DY-T1-E3
描述 SOIC N-CH 30V 13.6AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SO-8
漏源极电阻 - 0.007 Ω 20.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.50 W 2.5 W 2.5W (Ta)
漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) 13.6 A 13.6A -11.0 A to 11.0 A
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W -
阈值电压 - 1 V -
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V -
上升时间 2.70 ns 2.7 ns -
输入电容(Ciss) - 1010pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) - 2.5 W -
下降时间 - 7.3 ns -
工作温度(Max) - 155 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 13.6 A - -
产品系列 IRF7821 - -
封装 SO-8 SOIC-8 SO-8
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.5 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -