BR24L16-W和M24C16-WBN6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BR24L16-W M24C16-WBN6

描述 2k个×8位的电可擦除PROM 2k】8 bit electrically erasable PROM16Kbit的, 8Kbit , 4k位, 2Kbit和1K位,串行I²C总线EEPROM 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 8 8

封装 DIP-8 PDIP-8

存取时间 400 ms 900 ns

内存容量 16000 B 16000 B

存取时间(Max) - 900 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 400 kHz -

电源电压(Max) 5.5 V -

电源电压(Min) 1.8 V -

长度 - 9.8 mm

宽度 6.5 mm 7.1 mm

高度 - 3.3 mm

封装 DIP-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free PB free

香港进出口证 NLR -

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