TLV342ID和TLV342IDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV342ID TLV342IDRG4 TLV342IDR

描述 低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 75 µA - 75 µA

电路数 2 - 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 75 dB 50 dB 75 dB

输入补偿漂移 1.90 µV/K 1.90 µV/K 1.90 µV/K

带宽 2.20 MHz 2.20 MHz 2.20 MHz

转换速率 900 mV/μs 900 mV/μs 900 mV/μs

增益频宽积 2.3 MHz 2.3 MHz 2.3 MHz

输入补偿电压 300 µV - 4 mV

输入偏置电流 1 pA - 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

增益带宽 2.3 MHz - 2.3 MHz

共模抑制比(Min) 75 dB - 75 dB

电源电压 1.5V ~ 5.5V - 1.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 1.5 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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