BF999和BF999E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF999 BF999E6327 2N5486

描述 BF999 N沟道MOSFET 20V SOT-23/SC-59 marking/标记 LB 低噪声增益控制放大器Infineon 双栅极 MOSFET 四极管Infineon 双栅极低噪声四极管 MOSFET 射频晶体管### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23 -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.9 mm -

产品生命周期 Not Recommended Active Unknown

包装方式 - Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 30.0 mA -

输入电容 - 2.50 pF -

漏源极电压(Vds) - 20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 30.0 mA -

输入电容(Ciss) - 2.5pF @10V(Vds) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

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