GS8182T18BGD-200和GS8182T18BGD-250

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8182T18BGD-200 GS8182T18BGD-250 GS8182T18BD-250

描述 DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M

数据手册 ---

制造商 GSI GSI GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 LBGA BGA-165 BGA-165

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

封装 LBGA BGA-165 BGA-165

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司