对比图
型号 IS61WV25632BLL-10BI IS61WV25632BLL-10BLI IS64WV25632BLL-10BA3
描述 SRAM Chip Async Quad 3.3V 8M-Bit 256K x 32 10ns 90Pin TF-BGA静态随机存取存储器 8Mb 256Kx32 10ns Async 静态随机存取存储器Standard SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-90
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 90 90 90
封装 BGA BGA-90 BGA
供电电流 - 90 mA -
位数 32 32 32
存取时间 - 10 ns -
存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 - 2.4V ~ 3.6V -
封装 BGA BGA-90 BGA
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -
产品生命周期 Not Recommended for New Design Active Unknown
包装方式 - Tray -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - 无铅 -
ECCN代码 - EAR99 -