对比图
型号 IXFA16N50P IXFP16N50P IXTP16N50P
描述 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 5.5 VIXFP16N50P 系列 500 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXTP16N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 16.0 A 16.0 A 16.0 A
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.4 Ω 400 mΩ 0.4 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 300 W
输入电容 2.25 nF 2.25 nF 2.25 nF
栅电荷 43.0 nC 43.0 nC 43.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16.0 A 16.0 A
上升时间 25 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 300 W
下降时间 22 ns 22 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
针脚数 3 - 3
阈值电压 5.5 V - 5.5 V
反向恢复时间 - - 400 ns
长度 - 10.66 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.15 mm -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -