JAN1N6122US和JANTXV1N6122US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6122US JANTXV1N6122US

描述 E-MELF 35.8V 500WE-MELF 35.8V 500W

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 SQ-MELF E-MELF

最大反向电压(Vrrm) 35.8V 35.8V

脉冲峰值功率 500 W 500 W

最小反向击穿电压 32.47 V -

封装 SQ-MELF E-MELF

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk -

RoHS标准 -

含铅标准 -

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