JANTX2N5116和JANTXV2N5116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5116 JANTXV2N5116 2N5116

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18Trans JFET P-CHJFET P-CH 30V 0.5W(1/2W) TO18

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices Solitron Devices Central Semiconductor

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-206 - TO-206

漏源极电阻 - - 150 Ω

耗散功率 - - 500 mW

击穿电压 - - 30 V

输入电容(Ciss) - - 25pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

封装 TO-206 - TO-206

材质 - - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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