IRF7329PBF和IRF7329TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7329PBF IRF7329TR IRF7329TRPBF

描述 INFINEON  IRF7329PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mVSOIC P-CH 12V 9.2AP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2 W - -

通道数 2 - 2

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.017 Ω - 17 mΩ

极性 P-Channel P-CH Dual P-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 900 mV - 0.9 V

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V

漏源击穿电压 12 V - 12 V

连续漏极电流(Ids) 9.2A 9.2A 9.2A

上升时间 8.6 ns - 8.6 ns

输入电容(Ciss) 3450pF @10V(Vds) 3450pF @10V(Vds) 3450pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 260 ns - 260 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 2 W

长度 5 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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