对比图
型号 PUMD48,165 PUMD48,115
描述 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 100mA 50VNXP PUMD48,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSSOP-6 SOT-363-6
针脚数 - 6
极性 - NPN, PNP
耗散功率 - 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 - 100mA
额定功率(Max) 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) - 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -
耗散功率(Max) 300 mW -
通道数 - -
最小电流放大倍数(hFE) - -
最大电流放大倍数(hFE) - -
高度 - 1 mm
封装 TSSOP-6 SOT-363-6
长度 - -
宽度 - -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 - -