对比图
型号 APT38N60BC6 STW35N65M5 IRFPS40N60KPBF
描述 Ç超级结MOSFET C Super Junction MOSFETN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-247-3 N-CH 600V 40A 130mΩ
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 SUPER-247
耗散功率 278 W 160 W 570 W
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
上升时间 29 ns 12 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 2826pF @25V(Vds) 3750pF @100V(Vds) 7970pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 278 W 160 W 570 W
下降时间 69 ns 16 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 278W (Tc) 160W (Tc) -
额定功率 - - 570 W
漏源极电阻 - - 130 mΩ
极性 - - N-Channel
连续漏极电流(Ids) - - 40.0 A
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 SUPER-247
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -