1N4106-AP和JANTXV1N4106C-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4106-AP JANTXV1N4106C-1 1N4106D-1

描述 DO-35 11V 0.5W(1/2W)Diode Zener Single 12V 2% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35Diode Zener Single 12V 1% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 11 V 12 V 12 V

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 500 mW - -

测试电流 - - 0.25 mA

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -

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