IRFR130ATF和IRFR130ATM的区别_IRFR130ATF代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR130ATF IRFR130ATM IRFR130A

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RPower Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount -

封装 DPAK TO-252-3 -

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 13.0 A 13.0 A -

漏源极电阻 110 mΩ 110 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.50 W 41 W -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 50.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13.0 A -

上升时间 - 14 ns -

输入电容(Ciss) - 790pF @25V(Vds) -

下降时间 - 36 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 41W (Tc) -

封装 DPAK TO-252-3 -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -