BCR192和PDTA114TEF,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR192 PDTA114TEF,115 BCR142

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorSC-89 PNP 50V 100mANPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, drver circuit)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOT-23 SOT-490 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @1mA, 5V -

额定功率(Max) - 150 mW -

封装 SOT-23 SOT-490 -

产品生命周期 End of Life Obsolete Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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