AUIRL2203N和IRL2203NPBF

对比图

型号 AUIRL2203N IRL2203NPBF IRL2203N

描述 INFINEON  AUIRL2203N  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRL2203NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1 VTO-220AB N-CH 30V 116A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定功率 - 130 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.007 Ω 0.007 Ω 7.00 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 180 W 130 W 130 W

阈值电压 1 V 1 V -

输入电容 - 3290 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30.0 V

漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 116A 116A 116 A

上升时间 160 ns 160 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 180 W -

下降时间 66 ns 66 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 180W (Tc) 180W (Tc) -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 116 A

产品系列 - - IRL2203N

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

长度 10.67 mm 10 mm -

宽度 4.83 mm 4.4 mm -

高度 9.02 mm 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -