对比图
型号 IXFN180N20 IXFN44N50Q IXFN50N50
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N20. 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 200 V, 10 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N50Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 44 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 VSOT-227B N-CH 500V 50A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw - Chassis
引脚数 3 3 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
通道数 - - 1
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 700 W 500 W 600 W
漏源极电压(Vds) 200 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 180 A 44.0 A 50A
输入电容(Ciss) 22000pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 700W (Tc) 500W (Tc) 600W (Tc)
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.01 Ω 120 mΩ -
阈值电压 4 V 4 V -
隔离电压 2.5 kV 2.50 kV -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 180 A - -
上升时间 85 ns - -
额定功率(Max) 700 W - -
下降时间 56 ns - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
宽度 - - 25.42 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 0.046 kg 44.0 g -
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -