对比图
描述 Trans RF BJT NPN 18V 20A 4Pin 2-13B1A射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, PLASTIC, M174, 4Pin
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Screw
引脚数 - - 4
封装 - M174 M-174
耗散功率 - 270 W 270000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 18 V 18 V
增益 - 13 dB 13 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @5A, 5V 20 @5A, 5V
额定功率(Max) - 270 W 270 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - - 270000 mW
额定电压(DC) - 36.0 V -
额定电流 - 20.0 A -
最大电流放大倍数(hFE) - 300 -
高度 - 7.11 mm 7.11 mm
封装 - M174 M-174
长度 - 24.89 mm -
宽度 - 12.83 mm -
工作温度 - 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free