EGP30M和RGP30M

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EGP30M RGP30M 1N5408G

描述 DO-201AD 1000V 3A 1.7VDO-201AD 1000V 3A 1.3VTAIWAN SEMICONDUCTOR  1N5408G.  标准功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1 V, 125 A

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) Leshan Radio (乐山无线电) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 2

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

正向电流 3 A 3 A 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 125 A

正向电压(Max) - - 1 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

正向电压 1.7 V 1.3 V -

最大反向电压(Vrrm) 1000V 1000V -

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Each

最小包装 800 800 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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