BF1102R和BF1102R,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1102R BF1102R,115 BG3140R

描述 BF1102R 复合场效应管 7 40mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 W2 低噪声放大 VHF和UHF应用Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6Pin TSSOP T/R双N沟道MOSFET四极管 DUAL N-Channel MOSFET Tetrode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-363 TSSOP-6 SOT-363

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363 TSSOP-6 SOT-363

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

频率 - 800 MHz -

额定电流 - 40 mA -

耗散功率 - 200 mW -

漏源极电压(Vds) - 7 V -

测试电流 - 15 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

额定电压 - 7 V -

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