DTC123EM3T5G和MUN5235T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC123EM3T5G MUN5235T1 DTC123EKAT146

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORSDTC123EKA 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - SC-59

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-723-3 SC-70-3 SOT-23-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 20 @20mA, 5V

额定功率(Max) 260 mW 202 mW 200 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

耗散功率 0.6 W - 0.2 W

最大电流放大倍数(hFE) 8 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 338 mW - 200 mW

增益带宽 - - 250 MHz

封装 SOT-723-3 SC-70-3 SOT-23-3

长度 1.25 mm - -

宽度 0.8 mm - 1.6 mm

高度 0.55 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台